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硅片抛光机技术特点及原理

时间:2021-03-29     作者:kas韬【原创】   阅读
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硅片抛光机技术特点及原理
       硅片抛光机不是碾除整体的糠层,是通过碾除细微的糠粉和粗糙表上面突起的淀粉细粒,抛光机抛光和碾白从工作方面比较存在着很大的差别,抛光机抛光压力很低,抛光机抛光米粒的时候流体密度很小,抛光时米粒离开铁辊的速度很快,而且抛光机单位产量抛光运动面积很大。

硅片抛光机技术特点及原理


抛光布采用微细表层结构的软质发泡聚氨基甲酸人造革。在高速高压抛光条件下,抛光布和硅片之间形成封闭的抛光剂层。
同时,在硅片表面形成软质水合膜,抛光盘通过不断去除水合膜进行硅片的抛光。但是,一旦抛光过程中水合膜发生破裂,会在硅片表面产生加工缺陷。
抛光是硅片的最终加工工序,要求抛光表面具有晶格完整性、高的平面度及洁净性。使用械化学抛光法可以获得无加工变质层的表面。为了提高抛光效率,要进行两次抛光。在第一次抛光中,借助于磨粒与抛光布的机械作用,破坏硅片表面的水合膜进行高效抛光。
因此,必须采用大粒度的磨粒和透气性能好的抛光布以形成较薄的水合膜,其目的是为获得硅片的厚度、平面度等。

硅片抛光装置有单面抛光和双面抛光两种,双面抛光可提高抛光效率和加工精度。

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